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Prof.Lihong Bao visited our group

Source:Hongxing Xu Group    Release time:2017-06-15 15:23:18    Reading times:

Title 黑磷、类黑磷二维原子晶体材料的半导体器件
Speaker 鲍丽宏 副研究员(中国科学院物理研究所纳米物理与器件实验室)
Time 2017年6月9日15:10-15:30
Place 物理学院新楼五楼多功能报告厅
Brief Bio of the speaker 鲍丽宏:中国科学院物理研究所副研究员。2008年在中国科学院物理研究所获博士学位,2009年1月至2013年8月先后在美国南卡罗莱纳大学和爱荷华州立大学从事博士后研究,2013年9月入选所级百人计划加入中国科学院物理研究所。主要研究方向为低维纳米材料的纳电子器件制作、输运特性以及二维原子晶体材料在低温、强磁场下的量子输运特性研究。发表Nano Lett., Adv. Mater., Appl. Phys. Lett.等SCI论文30余篇,引用1400余次, h-index为14。
Abstract 黑磷是一种新型层状结构的直接带隙二维半导体材料,少层黑磷场效应晶体管表现出了优异的电流开关比性能(~105)和高空穴迁移率(1000 cm2/Vs),显示了其在逻辑、开关器件应用领域的巨大潜力。针对黑磷的不稳定性、调控导电类型的难题,我们在实验上首次发现了过曝PMMA覆盖层对黑磷的保护及调控导电类型的作用,实现了黑磷的P型(空穴型)及N型(电子型)分立场效应单元器件,进而将它们集成在一起,构筑了基于黑磷的栅调制二极管、双向整流器与逻辑反相器等一系列平面逻辑器件。另外我们成功实现了具有类黑磷结构的超薄SnSe单晶在PDMS柔性衬底上的外延生长,最薄厚度到9 nm,SnSe纳米薄片呈现八边形结构。并且首次在较大厚度范围内(> 10nm)发现了SnSe的拉曼频移与其厚度的依赖关系,最后通过在芯片上制备微型加热电极和热电偶温度计,对小尺度的SnSe单晶纳米薄片进行了热电性能测试,发现其塞贝克系数与体材相当,而且表现出了栅极调控的特性。